華盛頓大學(xué)研制出世上最薄的LED
來源:數(shù)字音視工程網(wǎng) 編輯:merry2013 2014-05-14 08:15:23 加入收藏 咨詢

咨詢
所在單位: | * |
姓名: | * |
手機(jī): | * |
職位: | |
郵箱: | * |
其他聯(lián)系方式: | |
咨詢內(nèi)容: | |
驗(yàn)證碼: |
|
確定
近日,據(jù)國外媒體報(bào)道,華盛頓大學(xué)宣布他們已經(jīng)研制出世上最薄的LED,其只有三個原子的厚度.
近日,據(jù)國外媒體報(bào)道,華盛頓大學(xué)宣布他們已經(jīng)研制出世上最薄的LED,其只有三個原子的厚度,是目前已有技術(shù)能做到的最薄LED了。其重點(diǎn)成份為二硒化鎢(tungsten diselenide),是已知最薄的半導(dǎo)體。一片這樣的物料只有傳統(tǒng)LED不到十分之一的厚度,但依然可以發(fā)出可見的亮度。
另外,它也很有彈性和堅(jiān)固的。理論上,它可以應(yīng)用于光學(xué)電路和納米激光器等講求細(xì)小的科技上,同時(shí),它也當(dāng)然有潛力用在現(xiàn)時(shí)斗薄斗輕的行動裝置上吧,特別是最近熱門的可穿戴式裝置。
免責(zé)聲明:本文來源于網(wǎng)絡(luò)收集,本文僅代表作者個人觀點(diǎn),本站不作任何保證和承諾,若有任何疑問,請與本文作者聯(lián)系或有侵權(quán)行為聯(lián)系本站刪除。(原創(chuàng)稿件未經(jīng)許可,不可轉(zhuǎn)載,轉(zhuǎn)載請注明來源)
評論comment